哈密瓜怎麼種植 - 日光温室栽培哈密瓜技術

近年來，隨着設施農業的發展，日光温室哈密瓜的種植面積也在不斷擴大。由於哈密瓜喜歡高温、低濕、強光的環境，屬於長日照作物，因而採用日光温室種植哈密瓜，能夠更好滿足哈密瓜的生長條件，進而增加其種植產量和品質。那麼，哈密瓜怎麼種植。

一、選地

選擇日光温室土壤肥力中等，有機質含量在2.0％以上，磷10mg／kg，鉀150mg／kg，鹼解氮50mg／kg，排灌方便（安裝滴灌），pH值在7—8之間，土壤耕層含鹽量小於0.4％，5年以上沒有種過瓜類作物的沙壤土或壤土為宜。

二、品種選擇

適宜日光温室栽培的哈密瓜品種。要求選擇品種純正，發芽率95％以上，千粒重30g一40g，抗病性強，適應範圍廣，質優、耐儲運、豐產潛力大的優良品種。如：新世紀、甘密寶、大康一號、大康二號、香妃等。

三、種子處理

先用55％温水浸種l5—20分鐘，再用0.2％高錳酸鉀溶液浸種30分鐘，或用2％磷酸三納溶液浸種l5分鐘，消滅種子表皮上的真菌和鈍化病毒。然後，用清水洗2—3遍，再用25“C一30”C温水浸種4—6小時，撈出種子用毛巾擦乾，在28“C一30”C的環境中催芽。

四、播種育苗

可採用營養缽和穴盤育苗兩種形式。畝用種量80g一100g。

1.營養缽育苗：用未種過瓜類的6份田園土+3份腐熟雞糞+l份草木灰過篩、摻勻做營養土，選擇8em×8em營養缽，裝入營養缽體積2／3的營養土，在缽內下種後，上覆lem厚的細潮土。

2.穴盤育苗：將催出芽的種子播於72孔穴盤介質中，覆蓋地膜保水、增温。出苗前偏高温管理，白天30“C一32℃，夜間18~C一20”C，不能低於12~C—l5℃。營養缽育苗苗齡30—35天，三葉一心定植：穴盤育苗苗齡25—30天，二葉一心定植。整個生長期用百菌清煙劑薰2次。優質瓜苗應是生長健壯、根系白嫩、無病蟲害。

五、整地與施肥

1.施肥：結合整地畝施發酵好的雞糞5m‘，耕後澆水保墒，定植溝畝施三元複合肥150kg，磷酸二銨70—80kg，硫酸鉀60—80kg，硫酸鋅1.5kg等其他微量元素肥料，混合後撤施地面深翻。

2.土壤消毒：畝施70％甲基託布津2—2.5kg或65％辛拌靈l—1.5kg，結合作畦撤施土壤。

3.作畦：採用開溝高畦覆膜栽培。按1.5m劃線，以線為中心，人工開溝，溝上口寬50em，溝底寬20em，溝深25em，做到溝直、底平、坡度一致。在畦面中間鋪設滴灌，畦面及坡面用1.6m地膜覆蓋。

六、定植

日光温室早春茬哈密瓜定植期在2月中、下旬，畦上小行距60em，畦間大行距90em，株距50em，每畝保苗1800株。選擇晴天上午定植，定植時在膜上打孔，苗坨與畦面高低一致，澆水後穩苗然後及時封穴，用滴灌滴透水，定植後3天應查苗、補苗。

七、定植後的管理

1.温、濕度管理：為了有利於緩苗和生長髮育，定植後到緩苗這一段時間不放風，白天32℃一35℃，夜間l5℃一20℃，以促進早發新根，儘快緩苗。緩苗結束後，適當降温並放風排濕，白天保持25℃一28℃，夜間l3℃一l5℃。開花坐果期白天温度控制在25℃一30℃，夜間l8℃一20℃白天高於30℃低於20℃不利於開花坐果。在果實膨大期，白天室温掌握在28℃一30℃，網紋開始出現時，白天温度維持25℃左右，如温度偏高，土壤濕度大時，容易產生裂瓜現象。網紋形成後，白天温度保持28℃一32℃，夜間温度應在l5℃一l8℃，晝夜温差維持在l3℃以上，利於糖分的積累。在濕度控制上不論是緩苗、開花坐果期，還是果實進入成熟期，温室內的相對濕度應在65％一70％，如果相對濕度大，有利於各種病害的發生蔓延。

2.整枝打權、吊蔓：日光温室種植哈密瓜應該採用吊秧栽培，在幼苗生長到4—5片真葉時，摘去頂葉留一健壯的側蔓或兩條側蔓繼續生長，為了增加有效功能葉（或稱補充營養枝葉），側蔓上發生的孫蔓l一4節或l一5節的孫蔓留2片葉摘心，摘去生長的雄花、雌花，這樣每一側枝可增加有效功能葉8一l0片，對於生長髮育、開花結果、果實膨大期間促進光合作用和光和產物的積累都非常有利，可以提高單果重增加畝產量。吊蔓用尼龍繩將蔓吊起，把莖蔓盤繞在繩上一般應選擇l2一l5節留瓜，25節時打去頂心，l2節以前和4—5節後的所有孫蔓全部及時打掉。

3.開花坐果：在莖蔓生長出l2一l5節側枝後，應在這些側枝上授粉留瓜每一側蔓選留一個生長健壯的雌花授粉留瓜，坐瓜側蔓在瓜後2葉摘心。l2一l5節的側蔓都授粉留瓜，當瓜長到雞蛋大小時，選留瓜形周正、花臍小、果皮絨毛長而多的幼果，每株留1個，其餘疏掉。